型号:IRF7379PBF | 类别:FET - 阵列 | 制造商:International Rectifier |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC |
系列 | HEXFET® |
制造商 | International Rectifier |
FET型 | N 和 P 沟道 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 5.8A,4.3A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 45 毫欧 @ 5.8A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 25nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 520pF @ 25V |
功率_最大 | 2.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 管件 |
供应商
深圳市金亿泰电子有限公司 | 郑086-755-83252273 |
深圳市晶美隆科技有限公司 | 李林0755- 82519391 0755-83209630 |
鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司 | 孙小姐/李先生/钱先生0532-87557828 |
深圳市俊晖半导体有限公司 | 李先生【原装正品,可开发票】13410941925 |
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部 | 许小姐0755-83209630 82519391 |
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2512(6432 公制)
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1206(3216 公制),凹陷
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Vishay Semiconductors
ADD-A-PAK(3 + 2)
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SCR
Vishay Semiconductors
ADD-A-PAK(3 + 2)
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Vishay Dale
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1206(3216 公制),凹陷
RES ARRAY 220 OHM 8 RES 1206
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芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
2512(6432 公制)
RES 1.13 OHM 1W 1% 2512 SMD
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SCR
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Vishay Dale
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- IRF7379
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8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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4-SMD,无引线(DFN,LCC)
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1206(3216 公制),凹陷
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固定式
Vishay Dale
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- IRF830AS
FET - 单
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TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
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配件
Omron Electronics Inc-IA Div
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