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电子元器件详细资料 » IC[20246] » IRF7379PBF
型号:IRF7379PBF类别:FET - 阵列制造商:International Rectifier
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC
系列HEXFET®
制造商International Rectifier
FET型N 和 P 沟道
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C5.8A,4.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C45 毫欧 @ 5.8A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs25nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds520pF @ 25V
功率_最大2.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SO
包装管件

供应商

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鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司孙小姐/李先生/钱先生0532-87557828
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IRF7379PBF相关型号

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